Beli Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Nomor Bagian

SISC06DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Isolated)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

58nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42225 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER