Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
STH110N10F7-2

STH110N10F7-2

MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Nomor Bagian
STH110N10F7-2
Pabrikan/Merek
Seri
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
H2Pak-2
Disipasi Daya (Maks)
150W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
72nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5117pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 19763 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari STH110N10F7-2
STH110N10F7-2 Komponen elektronik
STH110N10F7-2 Penjualan
STH110N10F7-2 Pemasok
STH110N10F7-2 Distributor
STH110N10F7-2 Tabel data
STH110N10F7-2 Foto
STH110N10F7-2 Harga
STH110N10F7-2 Menawarkan
STH110N10F7-2 Harga terendah
STH110N10F7-2 Mencari
STH110N10F7-2 Pembelian
STH110N10F7-2 Kepingan