Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Nomor Bagian
FQA7N80C-F109
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3PN
Disipasi Daya (Maks)
198W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
35nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1680pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21607 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQA7N80C-F109
FQA7N80C-F109 Komponen elektronik
FQA7N80C-F109 Penjualan
FQA7N80C-F109 Pemasok
FQA7N80C-F109 Distributor
FQA7N80C-F109 Tabel data
FQA7N80C-F109 Foto
FQA7N80C-F109 Harga
FQA7N80C-F109 Menawarkan
FQA7N80C-F109 Harga terendah
FQA7N80C-F109 Mencari
FQA7N80C-F109 Pembelian
FQA7N80C-F109 Kepingan