onsemi (Ansemi)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
NTJD4105CT2G
Complementary, Small Signal MOSFETs
Nomor Bagian
NTJD4105CT2G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
onsemi (Ansemi)
Enkapsulasi
SOT-363
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
3000
Keterangan
This complementary dual device uses a small encapsulation (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs to achieve the smallest footprint and improve circuit efficiency. The low RDS(on) performance is ideal for single-cell or dual-cell Li-ion battery powered devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 69505 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Kata kunci dari NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G Komponen elektronik
NTJD4105CT2G Penjualan
NTJD4105CT2G Pemasok
NTJD4105CT2G Distributor
NTJD4105CT2G Tabel data
NTJD4105CT2G Foto
NTJD4105CT2G Harga
NTJD4105CT2G Menawarkan
NTJD4105CT2G Harga terendah
NTJD4105CT2G Mencari
NTJD4105CT2G Pembelian
NTJD4105CT2G Kepingan