DIODES (US and Taiwan)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET
Nomor Bagian
DMG6601LVT-7
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
DIODES (US and Taiwan)
Enkapsulasi
SOT-26
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
3000
Keterangan
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 77645 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7 Komponen elektronik
DMG6601LVT-7 Penjualan
DMG6601LVT-7 Pemasok
DMG6601LVT-7 Distributor
DMG6601LVT-7 Tabel data
DMG6601LVT-7 Foto
DMG6601LVT-7 Harga
DMG6601LVT-7 Menawarkan
DMG6601LVT-7 Harga terendah
DMG6601LVT-7 Mencari
DMG6601LVT-7 Pembelian
DMG6601LVT-7 Kepingan