DIODES (US and Taiwan)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
DGD2103MS8-13
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
Nomor Bagian
DGD2103MS8-13
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Pabrikan/Merek
DIODES (US and Taiwan)
Enkapsulasi
SOIC-8
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
2500
Keterangan
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 76783 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Kata kunci dari DGD2103MS8-13
DGD2103MS8-13 Komponen elektronik
DGD2103MS8-13 Penjualan
DGD2103MS8-13 Pemasok
DGD2103MS8-13 Distributor
DGD2103MS8-13 Tabel data
DGD2103MS8-13 Foto
DGD2103MS8-13 Harga
DGD2103MS8-13 Menawarkan
DGD2103MS8-13 Harga terendah
DGD2103MS8-13 Mencari
DGD2103MS8-13 Pembelian
DGD2103MS8-13 Kepingan