AGM-Semi (core control source)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
AGM605Q N-channel 60V 58A 6.2mΩ

AGM605Q

N-channel 60V 58A 6.2mΩ
Nomor Bagian
AGM605Q
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
DFN5x6
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
3000
Keterangan
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 90367 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari AGM605Q
AGM605Q Komponen elektronik
AGM605Q Penjualan
AGM605Q Pemasok
AGM605Q Distributor
AGM605Q Tabel data
AGM605Q Foto
AGM605Q Harga
AGM605Q Menawarkan
AGM605Q Harga terendah
AGM605Q Mencari
AGM605Q Pembelian
AGM605Q Kepingan