Beli Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Nomor Bagian

SQM120N10-3M8_GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

TO-263 (D²Pak)

Disipasi Daya (Maks)

375W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

190nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

7230pF @ 25V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 18373 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263