Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Nomor Bagian
SIR108DP-T1-RE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2060pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
7.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23346 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIR108DP-T1-RE3
SIR108DP-T1-RE3 Komponen elektronik
SIR108DP-T1-RE3 Penjualan
SIR108DP-T1-RE3 Pemasok
SIR108DP-T1-RE3 Distributor
SIR108DP-T1-RE3 Tabel data
SIR108DP-T1-RE3 Foto
SIR108DP-T1-RE3 Harga
SIR108DP-T1-RE3 Menawarkan
SIR108DP-T1-RE3 Harga terendah
SIR108DP-T1-RE3 Mencari
SIR108DP-T1-RE3 Pembelian
SIR108DP-T1-RE3 Kepingan