Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHH11N65E-T1-GE3

SIHH11N65E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
Nomor Bagian
SIHH11N65E-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 8 x 8
Disipasi Daya (Maks)
130W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
363 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
68nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1257pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 33225 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHH11N65E-T1-GE3
SIHH11N65E-T1-GE3 Komponen elektronik
SIHH11N65E-T1-GE3 Penjualan
SIHH11N65E-T1-GE3 Pemasok
SIHH11N65E-T1-GE3 Distributor
SIHH11N65E-T1-GE3 Tabel data
SIHH11N65E-T1-GE3 Foto
SIHH11N65E-T1-GE3 Harga
SIHH11N65E-T1-GE3 Menawarkan
SIHH11N65E-T1-GE3 Harga terendah
SIHH11N65E-T1-GE3 Mencari
SIHH11N65E-T1-GE3 Pembelian
SIHH11N65E-T1-GE3 Kepingan