Beli Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIE836DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Nomor Bagian

SIE836DF-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

10-PolarPAK® (SH)

Paket Perangkat Pemasok

10-PolarPAK® (SH)

Disipasi Daya (Maks)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

41nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1200pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 39576 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK