Beli Vishay Siliconix SIDR638DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIDR638DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Nomor Bagian

SIDR638DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8DC

Disipasi Daya (Maks)

125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

40V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

0.88 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

204nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

10500pF @ 20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 51552 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC