Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Nomor Bagian
CSD17579Q3AT
Pabrikan/Merek
Seri
NexFET™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-VSONP (3x3.15)
Disipasi Daya (Maks)
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.9V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
998pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 32958 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari CSD17579Q3AT
CSD17579Q3AT Komponen elektronik
CSD17579Q3AT Penjualan
CSD17579Q3AT Pemasok
CSD17579Q3AT Distributor
CSD17579Q3AT Tabel data
CSD17579Q3AT Foto
CSD17579Q3AT Harga
CSD17579Q3AT Menawarkan
CSD17579Q3AT Harga terendah
CSD17579Q3AT Mencari
CSD17579Q3AT Pembelian
CSD17579Q3AT Kepingan