STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Nomor Bagian
STP18N65M2
Pabrikan/Merek
Seri
MDmesh™ M2
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220
Disipasi Daya (Maks)
110W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
770pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±25V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 31091 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari STP18N65M2
STP18N65M2 Komponen elektronik
STP18N65M2 Penjualan
STP18N65M2 Pemasok
STP18N65M2 Distributor
STP18N65M2 Tabel data
STP18N65M2 Foto
STP18N65M2 Harga
STP18N65M2 Menawarkan
STP18N65M2 Harga terendah
STP18N65M2 Mencari
STP18N65M2 Pembelian
STP18N65M2 Kepingan