Beli Infineon Technologies SPD06N80C3ATMA1 MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SPD06N80C3ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

Nomor Bagian

SPD06N80C3ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3

Disipasi Daya (Maks)

83W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.9V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

41nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

785pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 19936 PCS

Kontak informasi