Beli Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1 MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SPD02N80C3ATMA1

MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252

Nomor Bagian

SPD02N80C3ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3

Disipasi Daya (Maks)

42W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.7 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.9V @ 120µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

290pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 34216 PCS

Kontak informasi