Beli Infineon Technologies IPW65R110CFD MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPW65R110CFD

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Nomor Bagian

IPW65R110CFD

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO247-3

Disipasi Daya (Maks)

277.8W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

31.2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 1.3mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

118nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3240pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 22643 PCS

Kontak informasi