Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Nomor Bagian
IPI034NE7N3 G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO262-3
Disipasi Daya (Maks)
214W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
75V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 155µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
117nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
8130pF @ 37.5V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
-
Vgs (Maks)
-
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54477 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPI034NE7N3 G
IPI034NE7N3 G Komponen elektronik
IPI034NE7N3 G Penjualan
IPI034NE7N3 G Pemasok
IPI034NE7N3 G Distributor
IPI034NE7N3 G Tabel data
IPI034NE7N3 G Foto
IPI034NE7N3 G Harga
IPI034NE7N3 G Menawarkan
IPI034NE7N3 G Harga terendah
IPI034NE7N3 G Mencari
IPI034NE7N3 G Pembelian
IPI034NE7N3 G Kepingan