Beli Infineon Technologies IPD50N04S4L08ATMA1 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPD50N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Nomor Bagian

IPD50N04S4L08ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3-313

Disipasi Daya (Maks)

46W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

40V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 17µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2340pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 41361 PCS

Kontak informasi