IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Nomor Bagian
IPD30N08S2L21ATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
75V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 80µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
72nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1650pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 11031 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1 Komponen elektronik
IPD30N08S2L21ATMA1 Penjualan
IPD30N08S2L21ATMA1 Pemasok
IPD30N08S2L21ATMA1 Distributor
IPD30N08S2L21ATMA1 Tabel data
IPD30N08S2L21ATMA1 Foto
IPD30N08S2L21ATMA1 Harga
IPD30N08S2L21ATMA1 Menawarkan
IPD30N08S2L21ATMA1 Harga terendah
IPD30N08S2L21ATMA1 Mencari
IPD30N08S2L21ATMA1 Pembelian
IPD30N08S2L21ATMA1 Kepingan