IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Nomor Bagian
IPD30N06S2L13ATMA4
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO252-3-11
Disipasi Daya (Maks)
136W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
55V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 80µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
69nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7661 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4 Komponen elektronik
IPD30N06S2L13ATMA4 Penjualan
IPD30N06S2L13ATMA4 Pemasok
IPD30N06S2L13ATMA4 Distributor
IPD30N06S2L13ATMA4 Tabel data
IPD30N06S2L13ATMA4 Foto
IPD30N06S2L13ATMA4 Harga
IPD30N06S2L13ATMA4 Menawarkan
IPD30N06S2L13ATMA4 Harga terendah
IPD30N06S2L13ATMA4 Mencari
IPD30N06S2L13ATMA4 Pembelian
IPD30N06S2L13ATMA4 Kepingan