AGM-Semi (core control source)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
AGM30P14MBP P-channel 30V 21A 15mΩ

AGM30P14MBP

P-channel 30V 21A 15mΩ
Nomor Bagian
AGM30P14MBP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
PDFN3X3
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
5000
Keterangan
Field effect transistor (MOSFET) type: P-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 21A power (Pd): 30W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@ 10V, 8A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.35nF@15V , Vds=30V Id=21A Rds =15mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3;
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 61928 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari AGM30P14MBP
AGM30P14MBP Komponen elektronik
AGM30P14MBP Penjualan
AGM30P14MBP Pemasok
AGM30P14MBP Distributor
AGM30P14MBP Tabel data
AGM30P14MBP Foto
AGM30P14MBP Harga
AGM30P14MBP Menawarkan
AGM30P14MBP Harga terendah
AGM30P14MBP Mencari
AGM30P14MBP Pembelian
AGM30P14MBP Kepingan