AGM-Semi (core control source)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
AGM30P05AP P-channel 30V 60A 5.5mΩ

AGM30P05AP

P-channel 30V 60A 5.5mΩ
Nomor Bagian
AGM30P05AP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
PDFN3x3
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
5000
Keterangan
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 60W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.5mΩ@ 10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.497nF@30V , Vds=30v Id=60A Rds=5.5 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 70043 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari AGM30P05AP
AGM30P05AP Komponen elektronik
AGM30P05AP Penjualan
AGM30P05AP Pemasok
AGM30P05AP Distributor
AGM30P05AP Tabel data
AGM30P05AP Foto
AGM30P05AP Harga
AGM30P05AP Menawarkan
AGM30P05AP Harga terendah
AGM30P05AP Mencari
AGM30P05AP Pembelian
AGM30P05AP Kepingan