Triode/MOS tube/transistor/module
Nomor Bagian
DIODES (US and Taiwan)
Pabrikan
PNP, Vceo=-300V, Ic=-0.2A
Keterangan
92306 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
ALLPOWER
Pabrikan
MOSFET Type P Drain-Source Voltage (Vdss) (V) -20 Threshold Voltage VGS ±12 Vth(V) 0.45-0.95 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) - Continuous Drain Current ID (A) 2
Keterangan
99982 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Pabrikan
P-channel, VDSS withstand voltage 60V, ID current 20A, RDON on-resistance 85mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
Keterangan
98495 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
onsemi (Ansemi)
Pabrikan
N-channel, 60V, 8A, 24mΩ@10V
Keterangan
61030 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
onsemi (Ansemi)
Pabrikan
N-channel, 60V, 8A, 24mΩ@10V
Keterangan
86701 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
VBsemi (Wei Bi)
Pabrikan
N-channel, 20V, 12A, 10mΩ@10V
Keterangan
85377 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
SILAN (Silan Micro)
Pabrikan
N-channel, 600V 30mA
Keterangan
82891 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Pabrikan
N-channel, 40V, 110A, 2.4mΩ@10V
Keterangan
68280 PCS
Persediaan
Nomor Bagian
PIP (Li Jun)
Pabrikan
N-channel, 650V, 1.9?@10V, 4.0A
Keterangan
57125 PCS
Persediaan